Transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico, o Mosfet é o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Apresenta terminal de comporta, uma camada de polis silício colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dióxido de silício isolante.
Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de “canal invertido” no canal original abaixo dele.
Canal invertido é do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar.
Variando-se a tensão entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possível se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.
